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SiC多晶的熱射流率分布均勻性評估

  • 發(fā)布日期:2022-07-25      瀏覽次數(shù):866
    • SiC多晶的熱射流率分布均勻性評估

      測定了SiC多晶(陶瓷)的熱擴(kuò)散率分布,將燒結(jié)體微米量級的熱擴(kuò)散率分布可視化。此外,可以測量作為寬帶隙材料的 GaN 和金剛石。

      各種材料的熱物理特性(熱導(dǎo)率/熱射流率)的分布測量已成為可能,分辨率為微米級。通過評估材料中的熱性能(導(dǎo)熱率/熱流出率)分布,可以預(yù)期高導(dǎo)熱材料的特性將得到顯著改善。

      碳化硅材料導(dǎo)熱系數(shù) [Wm -1 K -1 ]

      熱射流率 [Js -0.5 m -2 K -1 ]

      4H-C 碳化硅44030,400

      6H-C SiC單晶36628,100

      碳化硅單晶27424,200

      AlN的熱射流率分布評估

      可以確認(rèn),AlN 的壓痕部分的熱擴(kuò)散率低。

      用熱顯微鏡TM3評價(jià)材料的熱射流均勻性

      金屬玻璃的熱射流率分布評價(jià)

      金屬玻璃的均勻性可以通過測量熱射流率的分布來確認(rèn)。

      用熱顯微鏡TM3評價(jià)材料的熱射流均勻性



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